金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119743997 A，申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示，本发明提出了一种具有双场阻止层的 RC‑IGB