金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119743997 A，申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示，本发明提出了一种具有双场阻止层的 RC‑IGB

来源：新浪基金∞工作室华夏半导体龙头混合型发起式证券投资基金（简称：华夏半导体龙头混合发起式A，代码016500）公布4月7日最新净值，下跌6.49%。华夏半导体龙头混合发起式A成立于2022年9月19日，业绩比较基准为中证全指半导体产品与设备指数收益率×60%+中证港股通综合指数收益率×20%+中